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    Introducción, Características Y Aplicaciones Del MOSFET De Potencia ROHM Semiconductor RF6G035BG

    2/29/2024 9:35:00 AM

    Resumen: Características: VDSS de 40 V, ID de ±3,5 A, baja resistencia de encendido de 46 miliohmios (RDS (encendido)), consumo de energía de 1 W (PD).

    MOSFET de potencia ROHM Semiconductor RF6G035BG

    El MOSFET de potencia RF6G035BG de ROHM Semiconductor presenta un voltaje de drenaje a fuente de 40 V (V(DSS)) y una corriente de drenaje continua de ±3,5 A (I(D)). Este MOSFET de canal n ofrece baja resistencia de encendido (R(DS(on))) de 46 miliohmios y disipación de potencia de 1W (P(D)). El MOSFET RF6G035BG opera en un rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa de -55 °C a 150 °C, y está disponible en un paquete de montaje en superficie pequeño sin halógenos (TUMT6 o SOT-363T). Este dispositivo que cumple con ROHS incluye un revestimiento sin plomo. El MOSFET de potencia RF6G035BG es adecuado para aplicaciones de conmutación, accionamiento de motor y convertidor CC/CC.


    Característica

    • Baja resistencia

    • Revestimiento sin plomo, que cumple con los estándares RoHS

    • Paquete de montaje en superficie pequeño (TUMT6/SOT-363T)

    • Libre de halógeno


    Especificación

    • Tensión drenaje-fuente (V(DSS))

    • ±20V tensión puerta-fuente (V(GSS))

    • -55°C a 150°C rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa

    • 46 miliohmR (DS(superior)(máx.)

    • Corriente de drenaje continua de ±3,5 A (I(D))

    • Consumo de energía de 1W (P(D))


    Aplicación

    • conductor de motor

    • cambiar

    • Convertidor CC/CC


    Cosas


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