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BOMIntroducción, Características Y Aplicaciones Del MOSFET De Canal N Único Onsemi NTBLS1D7N10MC
2/28/2024 9:25:00 AM
Resumen: Presenta un RDS bajo (encendido) y pérdidas de conducción minimizadas, lo que garantiza una gestión eficiente de la energía.
El MOSFET de canal N único onsemi NTBLS1D7N10MC presenta un R(DS) bajo y pérdidas de conducción minimizadas, lo que garantiza una gestión eficiente de la energía. onsemi NTBLS1D7N10MC presenta Qg y capacitancia bajos, lo que aumenta la velocidad de conmutación y reduce el consumo de energía. Incluir un diodo de recuperación más suave ayuda aún más a mejorar el rendimiento, minimizando el ruido de conmutación y las posibles interferencias electromagnéticas. NTBLS1D7N10MC no contiene plomo y cumple con los estándares y regulaciones de fabricación modernos.
Característica
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Bajo R(DS(on)), minimizando las pérdidas de conducción
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El bajo Q(G) y la capacitancia minimizan las pérdidas del controlador
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Reducir el ruido de conmutación/EMI
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Estos dispositivos no contienen plomo y cumplen con RoHS.
Aplicación
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Lado primario y secundario DC-DC
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Conversión CA/CC altamente eficiente
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puente de carga
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Inversores solares
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accionamiento motorizado
Diagrama De Circuito De Aplicación
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Teléfono
+852 62639182 -
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