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BOMIntroducción, Características Y Aplicaciones Del MOSFET PowerTrench De Canal N Semi NVBLS1D5N10MC
2/26/2024 9:40:00 AM
Resumen: Presenta un alto rendimiento térmico y un bajo RDS (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción.
Los MOSFET PowerTrench de canal n NVBLS1D5N10MC de onsemi presentan un alto rendimiento térmico y un bajo R(DS(on)) para minimizar las pérdidas de conducción. El NVBLS1D5N10MC tiene certificación AEC-Q101 y tiene funcionalidad PPAP, lo que lo hace ideal para aplicaciones automotrices.
El MOSFET onsemi NVBLS1D5N10MC está disponible en un paquete TOLL con una unión operativa y un rango de temperatura de almacenamiento de -55 °C a +175 °C.
Característica
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Bajo R(DS(on)), minimizando las pérdidas de conducción
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El bajo Q(G) y la capacitancia minimizan las pérdidas del controlador
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Pasó la certificación AEC-Q101 y tiene capacidades PPAP
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Reducir el ruido de conmutación/EMI
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Sin plomo, compatible con RoHS
Aplicación
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fuente de alimentación conmutada
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Protección inversa de batería
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Interruptores de alimentación (controlador del lado alto, controlador del lado bajo, puente H, etc.)
Especificación
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Corriente máxima de drenaje continuo 300A
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1,5 miliohmios máx. 10 V R (DS (ENCENDIDO))
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Voltaje de drenaje a fuente de 100 V
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±20V tensión puerta-fuente
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Corriente de drenaje pulsada de 900 A.
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Rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa de -55 °C a +175 °C
Aplicaciones Típicas
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