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Resumen: Proporciona un rendimiento de conmutación superior, alta confiabilidad/eficiencia y mayor densidad de potencia.
Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) onsemi NDSH20120C-F155 ofrecen un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. NDSH20120C-F155 no presenta corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y excelente rendimiento térmico. Las ventajas del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación rápida, alta densidad de potencia, baja EMI, tamaño pequeño del sistema y bajo costo. Este diodo EliteSiC ofrece un coeficiente de temperatura positivo y es fácil de conectar en paralelo.
+175°C temperatura máxima de unión
Pulso único con clasificación de avalancha de 166 mJ
Alta capacidad de corriente de sobretensión
coeficiente de temperatura positivo
Fácil de paralelizar
Sin recuperación hacia atrás/adelante
- 247 - 2 - ld caso
Retardante de llama sin plomo, sin halógenos ni bromado, que cumple con los estándares RoHS
Universal
Fuente de alimentación conmutada (SMPS), inversor solar, sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)
Circuito del interruptor de encendido
Voltaje inverso repetitivo máximo de 1200 V
Rango máximo de corriente directa rectificada continua de 20 A a 26 A
Corriente máxima de sobretensión directa
Rango de picos no repetitivos de 854A a 896A
119 años, un año sin repetición
40 una repetición
Consumo máximo de energía
214W +25°C
35W a +150°C
Rango de voltaje directo típico de 1,38 V a 1,87 V
Corriente inversa máxima 200 µA
Carga capacitiva total típica de 100 nC
Rango de capacitancia total típico de 58 pF (800 V) a 1480 pF (1 V)
Máxima resistencia térmica
0,7°C/W unión a caja
40°C/W unión-ambiente
-55 ℃ ~ +175 ℃ rango de temperatura de funcionamiento
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