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    Introducción, Características Y Aplicaciones De Los Diodos Schottky De Carburo De Silicio.

    2/26/2024 9:20:00 AM

    Resumen: Presenta conmutación independiente de la temperatura y excelente rendimiento térmico.

    onsemi NDSH30120C-F155

    Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) onsemi NDSH30120C-F155 ofrecen un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. NDSH30120C-F155 no presenta corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y excelente rendimiento térmico. Las ventajas del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación rápida, alta densidad de potencia, baja EMI, tamaño pequeño del sistema y bajo costo. Este diodo EliteSiC ofrece un coeficiente de temperatura positivo y es fácil de conectar en paralelo. Las aplicaciones incluyen circuitos de conmutación de energía, SMPS, inversores solares, UPS y de uso general.


    Característica

    • +175°C temperatura máxima de unión

    • Pulso único con clasificación de avalancha de 196 mJ

    • Alta capacidad de corriente de sobretensión

    • coeficiente de temperatura positivo

    • Fácil de paralelizar

    • Sin recuperación hacia atrás/adelante

    • - 247 - 2 - ld caso

    • Retardante de llama sin plomo, sin halógenos ni bromado, que cumple con los estándares RoHS


    Aplicación

    • Universal

    • Fuente de alimentación conmutada (SMPS), inversor solar, sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)

    • Circuito del interruptor de encendido


    Especificación

    • Voltaje inverso repetitivo máximo de 1200 V

    • Rango máximo de corriente directa rectificada continua de 30 A a 38 A

    • Corriente máxima de sobretensión directa

      • Rango de pico no repetitivo 994A a 1078A

      • 161, un no repetitivo

      • 57 una repetición

    • Consumo máximo de energía

      • 333W a +25°C

      • 56W a +150°C

    • Rango de voltaje directo típico de 1,41 V a 1,97 V

    • Corriente inversa máxima 200 µA

    • Carga capacitiva total típica de 132 nC

    • Rango de capacitancia total típico de 88 pF (800 V) a 1961 pF (1 V)

    • Máxima resistencia térmica

      • 0,45°C/W unión a caja

      • 40°C/W unión-ambiente

    • -55 ℃ ~ +175 ℃ rango de temperatura de funcionamiento

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