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Resumen: Proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor confiabilidad que el silicio en el paquete TO-247-3LD.
El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH30120CDN de onsemi proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad que el silicio en el paquete TO-247-3LD. NDSH30120CDN no presenta corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y excelente rendimiento térmico. Las ventajas del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación rápida, alta densidad de potencia, baja EMI, tamaño pequeño del sistema y bajo costo. Este diodo EliteSiC ofrece un coeficiente de temperatura positivo y una alta capacidad de sobrecorriente.
+175°C temperatura máxima de unión
Nivel de avalancha de 110 mJ, pulso único
Alta capacidad de corriente de sobretensión
coeficiente de temperatura positivo
Fácil de paralelizar
Sin recuperación hacia atrás/adelante
- 247 - 3 - caso ld
Sin haluro, compatible con RoHS, exento de 7a, 2LI (interconexión secundaria) sin plomo
Universal
Fuente de alimentación conmutada (SMPS), inversor solar, sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)
Circuito del interruptor de encendido
Voltaje inverso repetitivo máximo de 1200 V
Rango máximo de corriente directa del rectificador continuo
30A a 38A por dispositivo
15A a 19A por pierna
Corriente máxima de sobretensión directa
Rango de picos no repetitivos de 735A a 749A
En 1991, un no repetitivo
39 una repetición
Consumo máximo de energía
158W +25°C
26W a +150°C
Rango de voltaje directo típico de 1,40 V a 1,98 V
Corriente inversa máxima 200 µA
Carga capacitiva total típica de 64 nC
Rango de capacitancia total típico de 44 pF (800 V) a 927 pF (1 V)
Máxima resistencia térmica
Relación carcasa-unión de 0,46 °C/W por dispositivo
0,95°C/W cada pata conectada a la carcasa
40°C/W unión-ambiente
-55 ℃ ~ +175 ℃ rango de temperatura de funcionamiento
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