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    Introducción, Características Y Aplicaciones Del Diodo Schottky De Carburo De Silicio Onsemi NDSH20120CDN

    2/26/2024 9:00:00 AM

    Resumen: Proporciona un excelente rendimiento de conmutación, alta confiabilidad/eficiencia y EMI reducida.

    Diodo Schottky de carburo de silicio onsemi NDSH20120CDN

    Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) onsemi NDSH20120CDN ofrecen un rendimiento de conmutación superior y una mayor confiabilidad en comparación con el silicio. El NDSH20120CDN en encapsulado TO-247-3LD no presenta corriente de recuperación inversa, características de conmutación independientes de la temperatura y excelente rendimiento térmico. Las ventajas del sistema incluyen alta eficiencia, frecuencia de operación rápida, alta densidad de potencia, baja EMI, tamaño pequeño del sistema y bajo costo. Este diodo EliteSiC ofrece un coeficiente de temperatura positivo y es fácil de conectar en paralelo.


    Característica

    • +175°C temperatura máxima de unión

    • Nivel de avalancha de 49 mJ, pulso único

    • Alta capacidad de corriente de sobretensión

    • coeficiente de temperatura positivo

    • Fácil de paralelizar

    • Sin recuperación hacia atrás/adelante

    • - 247 - 3 - caso ld

    • Sin haluro, compatible con RoHS, exento de 7a, 2LI (interconexión secundaria) sin plomo


    Aplicación

    • Universal

    • Fuente de alimentación conmutada (SMPS), inversor solar, sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)

    • Circuito del interruptor de encendido


    Especificación

    • Voltaje inverso repetitivo máximo de 1200 V

    • Rango máximo de corriente directa del rectificador continuo

      • 20A ~ 24A por dispositivo

      • 10A a 12A por rama

    • Corriente máxima de sobretensión directa

      • Rango de picos no repetitivos de 459A a 564A

      • 59 años no repetitivo

      • 31 una repetición

    • Consumo máximo de energía

      • 94W a +25℃

      • 16W +150°C

    • Rango de voltaje directo típico de 1,39 V a 1,94 V

    • Corriente inversa máxima 200 µA

    • Carga capacitiva total típica de 46 nC

    • Rango de capacitancia total típico de 32 pF (800 V) a 680 pF (1 V)

    • Máxima resistencia térmica

      • Relación unión-carcasa de 0,65 °C/W por dispositivo

      • Conector de 1,6 °C/W: aloja cada pata

      • 40°C/W unión-ambiente

    • -55 ℃ ~ +175 ℃ rango de temperatura de funcionamiento

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