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    Introducción, Características Y Aplicaciones Del MOSFET De Carburo De Silicio (SiC) Onsemi NVBG1000N170M1

    2/23/2024 9:45:00 AM

    Resumen: MOSFET de SiC plano M1 de 1700 V optimizado para aplicaciones de conmutación rápida.

    MOSFET de carburo de silicio (SiC) onsemi NVBG1000N170M1

    El MOSFET de carburo de silicio (SiC) NVBG1000N170M1 de onsemi es un dispositivo plano M1 de 1700 V optimizado para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Planar conduce de manera confiable con voltajes de puerta negativos y apaga los picos en la puerta. Este MOSFET ElteSiC de canal n ofrece el mejor rendimiento con un controlador de puerta de 20 V, pero también funciona bien con un controlador de puerta de 18 V.


    Característica

    • Cuando el voltaje de la fuente de la puerta es de 20 V, la resistencia de conexión de la fuente de drenaje es de 960 miliohmios.

    • Carga de puerta ultrabaja 14nc

    • Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de 11pF

    • canal n

    • 100% probado contra avalanchas

    • Pasó la certificación AEC-Q101 y tiene capacidad ppap

    • Estuche D2PAK-7L

    • Sin haluro, compatible con RoHS, exento de 7a, 2LI (interconexión secundaria) sin plomo


    Aplicación

    • convertidor de retorno

    • Vehículos eléctricos automotrices/Virus de la hepatitis E


    Especificación

    • 1700 voltaje máximo de fuente de drenaje

    • Tensión máxima puerta-fuente -15 V/+25 V, valor de funcionamiento recomendado -5 V/+20 V

    • Rango máximo de corriente de drenaje continuo de 3,0 A (+100 °C) a 4,3 A (+25 °C)

    • Rango máximo de consumo de energía 25W (+100℃) ~ 51W (+25℃)

    • Corriente máxima de drenaje de pulso de 14,6 A.

    • Corriente de fuente máxima de 10 A (diodo del cuerpo)

    • Energía de avalancha de fuente de drenaje de pulso único máxima de 24 mJ

    • Rango de temperatura de unión operativa de -55 °C a +175 °C

    • +270°C temperatura máxima de soldadura

    Declaración: Este artículo tiene derechos de autor del autor original. Volver a publicar este artículo tiene únicamente el propósito de difundir más información. Si hay alguna inexactitud en la información del autor, comuníquese con nosotros lo antes posible para corregirla o eliminarla. ¡Gracias por su atención!

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